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--- de:parts:zip_ram [2016/01/28 05:40] – Tobias Seiler
+++ de:parts:zip_ram [2017/12/03 14:50] (aktuell) – KM44C1000Z hinzugefügt Rene F.
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 Das "zig-zag in-line package" oder "ZIP" war eine Gehäusebauform für integrierte Schaltkreise, welche nur relativ kurz zum Einsatz kam, zumeist bei dynamischen RAMs. Es war als Ersatz für das "dual in-line packaging (DIL or DIP)" gedacht.
-Ein ZIP Baustein ist ein integrierter Schaltkreis eingekapselt zwischen zwei länglichen Plastikscheiben mit 20 oder 40 Anschlüssen (Pins). Ein ZIP-20 Baustein hat in etwa die Abmaße 3 mm x 30 mm x 10 mm.
+Ein ZIP Baustein ist ein integrierter Schaltkreis eingekapselt zwischen zwei länglichen Plastikscheiben mit 20 oder 40 Anschlüssen (Pins).\\
-Die Pins ragen in zwei Reihen an einer der langen Seiten des Bausteins heraus. Die Reihen sind um 1.27 mm (0.05") in einer ZickZack Linie versetzt angeordnet, wodurch sie platzsparender platziert werden können als in einer rechteckigen Anordnung.
+Ein ZIP-20 Baustein hat in etwa die Abmaße 3 mm x 30 mm x 10 mm.
+Die Pins ragen in zwei Reihen an einer der langen Seiten des Bausteins heraus. Die Reihen sind um 1.27 mm (0.05'') in einer Zickzack Linie versetzt angeordnet, wodurch sie platzsparender platziert werden können als in einer rechteckigen Anordnung.
 Die Pins werden in Löcher in der Platine gesteckt, sodaß die Bausteine in einem rechten Winkel dazu stehen und so enger aneinander gereiht werden können als DIP Bausteine der gleichen Größe.
-ZIP Bausteine wurden von SMD Bauformen abgelöst wie dem "small-outline package (TSOP)", welches z.B. für SIMM (single-in-line memory module) und DIMM Module (dual-in-line memory module) verwendet wurde.
+ZIP Bausteine wurden von SMD Bauformen abgelöst wie dem "small-outline package (TSOP)", welches z.B. für [[de:parts:simm]] (single-in-line memory module) und DIMM [[de:parts:ram]] Module (dual-in-line memory module) verwendet wurde.
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 |HYB511000BZ|NEC|1 M x 1Bit| |page mode|Dynamic RAM Low Power|
-|KM41C4000Z |?|4M x 1Bit| |Fast Page Mode|CMOS Dynamic RAM|
+|KM41C4000Z|Samsung|4M x 1Bit| |Fast Page Mode|CMOS Dynamic RAM|
+|KM44C1000Z-8|Samsung|4MBit|80ns|Fast Page Mode|CMOS Dynamic RAM|
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